半導(dǎo)體設(shè)備由于使用的頻率較高,并要求有一定的線性度,在使用機(jī)械式繼電器的時(shí)候容易受壽命的影響,同時(shí)由于晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器的輸出側(cè)單元所具線性度較低,所以在輸出之間通過的信號(hào)會(huì)發(fā)生失真;
MOS FET繼電器與晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器不同,可通過與機(jī)械式繼電器相匹配的超群線性度特性,有效抑制信號(hào)的失真;可控制模擬信號(hào),所以最適用于測試器、測量設(shè)備等,因此,MOS FET繼電器可以完美的配合機(jī)械式繼電器使用,也可以替代傳統(tǒng)的光耦和可控硅產(chǎn)品;
MOS FET繼電器,輸出切換電流不會(huì)受到輸入電流的影響;
MOS FET繼電器通過極小電流即可運(yùn)行,可為設(shè)備的節(jié)電作貢獻(xiàn),在達(dá)到使用壽命后,輸出電流不會(huì)像晶體管耦合器那樣下降,穩(wěn)定的低電流有助于節(jié)能;
晶體管耦合器在增大輸入側(cè)電流時(shí),輸出側(cè)電流也會(huì)變大,所以與MOS FET繼電器相比,會(huì)消耗更多的電力。LED老化會(huì)使輸出也跟隨減弱,由此需要更多的電力;
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